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MTW32N20E中文资料

MTW32N20E图片

MTW32N20E外观图

  • 大小：205.3KB
  • 厂家：MOTOROLA [Motorola, Inc]
  • 描述：TMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075 OHM
  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：32A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫欧 @ 16A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5000pF @ 25V
  • 功率 - 最大：180W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247
  • 包装：管件
  • 其它名称：MTW32N20EOS

MTW32N20E供应商

更新时间:2023-01-26 23:06:30
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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